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產(chǎn)品展示

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北京 顯微光致發(fā)光 光譜儀

  • 產(chǎn)品型號:Flex One
  • 產(chǎn)品時間:2024-05-20
  • 簡要描述:卓立漢光供應(yīng)顯微光致發(fā)光光譜儀:是目前市場上 具性價比的的顯微PL光譜測量的解決方案。光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光,在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測量應(yīng)用中通常是用激光激發(fā)材料產(chǎn)生熒光,通過對其熒光光譜的測量,分析該材料的光學(xué)特性
  • 產(chǎn)品介紹

Flex One 顯微光致發(fā)光光譜儀

● 一體化的光學(xué)調(diào)校

——所有光學(xué)元件只需要在初次安裝時

進行調(diào)校,確保高效性和易用性

● 簡單易用的雙光路設(shè)計

——可隨意在水平和垂直光路上進行切

換,適用于各種常見的樣品形態(tài)

● 超寬光譜范圍**

——300nm-2200nm

● 視頻監(jiān)視光路 

——可供調(diào)整測試點

● *的發(fā)射光譜校正功能*

——讓光譜測量更精準且具有可比性                     

● 多種激發(fā)波長可選**

——325nm,405nm,442nm,

473nm,532nm,633nm,785nm等

● 自動mapping功能可選*

——50mm×50mm測量區(qū)間,可定制

特殊規(guī)格

● 電致發(fā)光(EL)功能可選*

——擴展選項

● 顯微拉曼光譜測量功能可選*

——擴展選項

● 超低溫測量附件可選*

——提供10K以下的超低溫測量

*選配項,請詳細咨詢; **需根據(jù)實際需要進行配置確定。   

產(chǎn)品簡介:

    光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光,在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測量應(yīng)用中通常是用激光(波長如325nm、532nm、785nm 等)激發(fā)材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)產(chǎn)生熒光,通過對其熒光光譜(即PL 譜)的測量,分析該材料的光學(xué)特性,如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息,是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法,因而在物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的顯微光致發(fā)光光譜儀都是采用標準的顯微鏡與熒光光譜儀的結(jié)合,但是傳統(tǒng)的顯微鏡在材料的PL 譜測量中,存在很大的局限性,比如無法靈活的選擇實驗所需的激光器(特別對于UV 波段的激光器,沒有足夠適用的配件),無法方便的與超低溫制冷機配合使用,采用光纖作為光收集裝置時耦合效率太低等等問題,都是采用標準顯微鏡難以回避的問題。
    北京卓立漢光儀器有限公司結(jié)合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統(tǒng)的設(shè)計經(jīng)驗和普遍用戶的實際需求,推出了“Flex One( 微光)”系列顯微光致發(fā)光光譜儀,有效的解決了上述問題,是目前市場上 具性價比的的顯微PL 光譜測量的解決方案。

( 產(chǎn)品圖片僅供參考,以實際系統(tǒng)配置為準)
系統(tǒng)組成
● 激發(fā)光源部分:紫外-近紅外波段各種波長激光器
● 顯微光路部分:優(yōu)化設(shè)計的專用型顯微光路
● 光譜采集部分:影像校正光譜和高靈敏型科學(xué)級CCD或單點探測器和數(shù)據(jù)采集器
● 樣品臺支架部分:xyz三維可調(diào)樣品臺(手動或自動)、超低溫樣品臺

參數(shù)規(guī)格表:

主型號 Flex One
光譜范圍 300-2200nm
光譜分辨率 0.1nm
激發(fā)光可選波長 325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等
探測器 類型 制冷型CCD 2000×256 制冷型InGaAs
512×1
制冷型InGaAs
512×1
有效范圍 300-1000nm 800-1700nm 800nm-2200nm
空間分辨率 <100μm
注*:以上為基本規(guī)格,詳細規(guī)格依據(jù)不同配置的選擇會有差異

 1. 光致發(fā)光(PL)光譜測量

 分別針對材料的正( 紅色) 和負( 綠色) 測試得到光致發(fā)光光譜曲線如下,GaN 的本征發(fā)光峰365nm 附近以及黃帶,InGaN 的發(fā)光峰475nm 附近。

2. 電致發(fā)光(EL)光譜測量

將材料的正負接到直流電源的正負,電壓加到2.5V 時可以有明顯的藍光發(fā)射,測量其電致發(fā)光光譜曲線如下(紅色),峰值在475nm 附近。

 

● 樣品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱

● 測試條件:325nm激發(fā),功率30mW

● 光譜范圍:340-700nm

 

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